ГОСТ 4.64-80
Группа Т51
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
Система показателей качества продукции
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Номенклатура показателей
Product-quality index system. Semiconductor materials.
Nomenclature of indices
Дата введения 1981-07-01
ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 12 мая 1980 г. N 2059
ПЕРЕИЗДАНИЕ (февраль 1985 г.) с Изменением N 1, утвержденным в марте 1985 г. Пост. N 545 от 13.03.85 (ИУС 6-85).
Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов полупроводниковых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению перспектив развития этой группы продукции, государственные стандарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспективные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические условия, карты технического уровня и качества продукции.
Коды ОКП приведены в справочном приложении 1.
1. НОМЕНКЛАТУРА ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
Номенклатура показателей качества, единицы измерения, условные обозначения, а также характеризуемые свойства, приведены в табл.1.
Алфавитный перечень показателей качества полупроводниковых материалов приведен в справочном приложении 2.
Таблица 1
Показатель качества и единица измерения | Условное обозначение показателя качества | Характеризуемое свойство |
1. Удельное электрическое сопротивление, Ом·см | Электрофизическое свойство | |
1.1. Номинальное значение удельного электрического сопротивления, Ом·см | ||
1.2. Интервал номинальных значений удельного электрического сопротивления, Ом·см |
| |
1.3. Интервал значений удельного электрического сопротивления, Ом·см |
| |
2. Относительное отклонение удельного электрического сопротивления от среднего значения по длине монокристаллического слитка, % | Электрофизическое свойство | |
3. Радиальное относительное отклонение удельного электрического сопротивления от среднего значения по торцу монокристаллического слитка, % | Электрофизическое свойство | |
4. Относительное отклонение средних значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, % | Электрофизическое свойство | |
5. Ориентация продольной оси монокристаллического слитка | Кристаллографическое свойство | |
6. Отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации, ° | Кристаллографическое свойство | |
7. Концентрация атомов оптически активных примесей, см | Химический состав | |
7.1. Концентрация атомов оптически активного кислорода, см | ||
7.2. Концентрация атомов оптически активного углерода, см | ||
8. Геометрическая характеристика поперечного сечения монокристаллического слитка | - | |
8.1. Диаметр монокристаллического слитка, мм | ||
8.2. Интервал номинальных значений диаметров, мм |
| |
8.3. Площадь поперечного сечения монокристаллического слитка, мм | ||
9. Отклонение диаметра монокристаллического слитка от номинального значения, мм | - | |
10. Длина монокристаллического слитка, мм | - | |
11. Плотность дислокаций, см | Структурное совершенство | |
12. Время жизни неравновесных носителей заряда, мкс, или диффузионная длина, мм | Электрофизическое свойство | |
13. Суммарная длина малоугловых границ, мм или доли диаметра | Структурное совершенство | |
14. Концентрация основных несителей заряда, см | Электрофизическое свойство | |
15. Относительное отклонение от номинального значения концентрации основных носителей заряда, % | Электрофизическое свойство | |
16. Подвижность основных носителей заряда, см | Электрофизическое свойство | |
17. Внешние дефекты (трещины, раковины, сколы) | - | |
18. Внутренние дефекты | Структурное совершенство | |
18.1. Раковины, трещины | ||
18.2. Наличие второй фазы | ||
18.3. Наличие двойниковых границ | ||
18.4. Наличие свирл-дефектов |
Примечания:
1. Допускается использование других показателей качества, связанных с особенностями отдельных полупроводниковых материалов, по согласованию с потребителями.
2. В качестве удельного электрического сопротивления используется один из показателей 1.1-1.3.
В качестве геометрической характеристики поперечного сечения монокристаллического слитка используется один из показателей 8.1-8.3.
Внутренние дефекты характеризуются показателем 18 или комплексом показателей 18.1-18.4.
3. Для германия вместо показателя 4 используется показатель: "Относительное отклонение значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, %".
(Измененная редакция, Изм. N 1).
2. ПРИМЕНЯЕМОСТЬ ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА
Применяемость показателей качества полупроводниковых материалов приведена в табл.2-6.
Таблица 2
Кремний монокристаллический
Номер показателя качества | Кремний моно- кристал- лический для полупро- водниковых приборов и микросхем | Кремний моно- кристал- лический для эпитак- сиальных структур | Кремний моно- кристал- лический для силовой полупро- водниковой техники | Кремний монокристал- лический для фотоприем- ников | Кремний монокристал- лический для источников тока | Кремний монокристал- лический для детекторов ядерных излучений | Кремний монокристал- лический водородный |
1 | + | + | + | + | + | + | + |
2 | + | + | + | - | - | + | + |
3 | + | + | + | ± | - | - | - |
4 | + | + | ± | ± | - | - | - |
5 | + | + | + | + | + | + | + |
6 | + | + | + | + | - | + | + |
7.1 | + | + | + | + | - | + | + |
7.2 | ± | ± | - | - | - | - | - |
8 | + | + | + | + | + | + | + |
9 | + | + | ± | - | - | ± | - |
10 | + | + | + | + | + | + | + |
11 | + | + | + | + | - | + | + |
12 | ± | ± | + | + | + | + | + |
13 | - | - | ± | - | - | ± | + |
17 | + | + | + | + | + | + | + |
18.1 | + | + | + | + | + | + | + |
18.4 | ± | ± | - | - | - | ± | - |
Таблица 3
Германий монокристаллический
Номер показателя качества | Германий монокристаллический для полупроводниковых приборов и микросхем | Германий монокристаллический для эпитаксиальных структур | Германий монокристаллический для оптоэлектроники | Германий монокристаллический для ядерной спектрометрии |
1 | + | + | ± | ± |
2 | ± | ± | - | ± |
3 | ± | ± | - | ± |
4 | + | + | - | - |
5 | + | + | + | + |
6 | - | - | - | ± |
8 | + | + | + | + |
9 | ± | ± | ± | ± |
10 | + | + | + | + |
11 | ± | + | ± | + |
12 | ± | - | - | + |
13 | ± | ± | - | - |
14 | - | - | - | ± |
16 | ± | ± | - | ± |
17 | + | + | + | + |
18.1 | + | + | + | + |
18.2 | ± | - | - | ± |
18.3 | + | + | + | + |
Таблица 4
Антимонид индия монокристаллический
Номер показателя качества | Антимонид индия для полупроводниковых приборов | Антимонид индия для эпитаксиальных структур |
1 | ± | - |
5 | + | + |
6 | ± | + |
8 | + | + |
10 | ± | + |
11 | + | + |
12 | ± | - |
13 | - | + |
14 | + | + |
15 | - | + |
16 | + | + |
17 | + | + |
18 | + | + |
Таблица 5
Арсенид галлия монокристаллический
Номер показателя качества | Арсенид галлия для полупроводниковых приборов, микросхем и эпитаксиальных структур | Арсенид галлия для источников тока |
1 | ± | - |
5 | + | + |
6 | + | + |
8 | + | + |
9 | + | - |
10 | + | + |
11 | + | + |
14 | + | + |
15 | + | - |
16 | + | - |
17 | + | + |
18 | ± | ± |
Таблица 6
Фосфид галлия, арсенид индия, фосфид индия монокристаллические
Номер показателя качества | Фосфид галлия для полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структур | Арсенид индия для полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структур | Фосфид индия для полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структур |
1 | ± | - | ± |
5 | + | + | + |
6 | + | + | + |
8 | + | + | + |
9 | + | + | + |
10 | + | + | + |
11 | + | + | + |
12 | - | - | + |
13 | - | + | + |
14 | + | + | - |
15 | + | - | - |
16 | + | - | + |
17 | + | + | + |
18 | ± | ± | ± |
Примечание к табл.2-6. Знак "+" обозначает применение показателя качества, знак "-" обозначает неприменение показателя качества, знак "±" обозначает ограниченное применение показателя.
(Измененная редакция, Изм. N 1).
ПРИЛОЖЕНИЕ 1
Справочное
Наименование продукции | Код ОКП |
Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для полупроводниковых приборов и микросхем | 17 7211 |
Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для силовой полупроводниковой техники | 17 7212 |
Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для эпитаксиальных структур | 17 7213 |
Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для источников тока | 17 7215 |
Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для полупроводниковых приборов и микросхем | 17 7221 |
Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для силовой полупроводниковой техники | 17 7222 |
Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для фотоприемников | 17 7224 |
Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для детекторов ядерных излучений | 17 7226 |
Кремний монокристаллический водородный | 17 72211000 |
Германий монокристаллический для полупроводниковых приборов и микросхем | 17 7441 |
Германий монокристаллический для эпитаксиальных структур | 17 7443 |
Германий монокристаллический для оптоэлектроники | 17 7444 |
Германий монокристаллический для ядерной спектрометрии | 17 7447 |
Антимонид индия монокристаллический | 17 7532 |
Арсенид галлия монокристаллический | 17 7512 |
Фосфид галлия монокристаллический | 17 7542 |
Арсенид индия монокристаллический | 17 7522 |
Фосфид индия монокристаллический | 17 7552 |
(Введено дополнительно, Изм. N 1).
ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Справочное
АЛФАВИТНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ
показателей качества полупроводниковых материалов
Наименование показателя качества | Номер показателя качества |
Время жизни неравновесных носителей заряда | 12 |
Дефекты внешние | 17 |
Дефекты внутренние | 18 |
Диаметр монокристаллического слитка | 8.1 |
Длина малоугловых границ суммарная | 13 |
Длина монокристаллического слитка | 10 |
Длина диффузионная | 12 |
Значение удельного электрического сопротивления номинальное | 1.1 |
Интервал значений удельного электрического сопротивления | 1.3 |
Интервал номинальных значений диаметров | 8.2 |
Интервал номинальных значений удельного электрического сопротивления | 1.2 |
Концентрация атомов оптически активных примесей | 7 |
Концентрация атомов оптически активного кислорода | 7.1 |
Концентрация атомов оптически активного углерода | 7.2 |
Концентрация основных носителей заряда | 14 |
Наличие второй фазы | 18.2 |
Наличие двойных границ | 18.3 |
Наличие свирл-дефектов | 18.4 |
Ориентация продольной оси монокристаллического слитка | 5 |
Отклонение диаметра монокристаллического слитка от номинального значения | 9 |
Отклонение относительное от номинального значения концентрации основных носителей заряда | 15 |
Отклонение плоскости торцевого среза от плоскости ориентации | 6 |
Отклонение относительное средних значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления | 4 |
Отклонение относительное удельного электрического сопротивления от среднего значения по длине монокристаллического слитка | 2 |
Отклонение относительное радиальное удельного электрического сопротивления от среднего значения по торцу монокристаллического слитка | 3 |
Плотность дислокаций | 11 |
Площадь поперечного сечения монокристаллического слитка | 8.3 |
Подвижность основных носителей заряда | 16 |
Раковины | 17; 18.1 |
Сколы | 17 |
Сопротивление удельное электрическое | 1 |
Характеристика геометрическая поперечного сечения монокристаллического слитка | 8 |
(Введено дополнительно, Изм.N 1).
Текст документа сверен по:
М.: Издательство стандартов, 1985
